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학술대회 Characterization and Optimization of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO2 Film as a Hydrogen Diffusion Barrier in Metal Oxide Thin-Film Transistors
Cited - time in scopus Download 1 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
조성행, 김희옥, 권오상, 박은숙, 양종헌, 황치선, 박상희
발행일
201508
출처
International Meeting on Information Display (IMID) 2015, pp.332-332
협약과제
15PB2200, 8G용 UD 디스플레이급 고이동도 고신뢰성 산화물 TFT 확보를 위한 급속 광소결 장비 기술 개발, 양종헌
KSP 제안 키워드
Chemical vapor deposited, Diffusion barrier(DB), Hydrogen Diffusion, Metal-oxide(MOX), Plasma-enhanced chemical vapor, Thin-Film Transistor(TFT), metal oxide thin-film transistors, thin film(TF)