BROWSE
Detail
Journal Article
Ka 대역 위성통신 하향 링크를 위한 GaN 전력증폭기 집적회로
Cited - time in 
Share 
Share
- Authors
- 지홍구
- Issue Date
- 2015-12
- Citation
- 한국산학기술학회논문지, v.16, no.12, pp.8643-8648
- ISSN
- 1975-4701
- Publisher
- 한국산학기술학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문은 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크대역인 주파수 19.5GHz∼22GHz대역에서 사용가능한 8W급 전력증폭기를 3단으로 설계 및 제작하여 특성 평가한 과정을 기술하였다. 제작된 전력증폭기 GaN MMIC는 3단으로 구성된 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들로 이루어 졌으며 증폭기의 첫 번째단 게이트 폭은 8×50×2um, 두 번째단 게이트 폭은 8×50×4um, 마지막단인 출력단의 게이트 폭은 8×50×8um의 구조로 이루어 졌다. 0.15um GaN 공정으로 제작된 전력증폭기 MMIC의 사이즈는 3,400×3,200um2 이고 주파수 19.5GHz∼22GHz대역에서 입력 전압 20V 일 때, 소신호 및 대신호 측정 결과 소신호 이득 29.6dB 이상, 입력정합 최소 -8.2dB, 출력정합 -9.7dB, 최소 39.1dBm의 출력전력, 최소 25.3%의 전력 부가 효율을 나타내었다. 따라서 설계 및 제작된 전력증폭기 MMIC는 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크에 사용이 가능할 것으로 판단된다.
- KSP Keywords
- High-electron mobility transistor(HEMT)