본 논문은 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크대역인 주파수 19.5GHz∼22GHz대역에서 사용가능한 8W급 전력증폭기를 3단으로 설계 및 제작하여 특성 평가한 과정을 기술하였다. 제작된 전력증폭기 GaN MMIC는 3단으로 구성된 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들로 이루어 졌으며 증폭기의 첫 번째단 게이트 폭은 8×50×2um, 두 번째단 게이트 폭은 8×50×4um, 마지막단인 출력단의 게이트 폭은 8×50×8um의 구조로 이루어 졌다. 0.15um GaN 공정으로 제작된 전력증폭기 MMIC의 사이즈는 3,400×3,200um2 이고 주파수 19.5GHz∼22GHz대역에서 입력 전압 20V 일 때, 소신호 및 대신호 측정 결과 소신호 이득 29.6dB 이상, 입력정합 최소 -8.2dB, 출력정합 -9.7dB, 최소 39.1dBm의 출력전력, 최소 25.3%의 전력 부가 효율을 나타내었다. 따라서 설계 및 제작된 전력증폭기 MMIC는 Ka대역 위성통신 탑재체의 하향링크에 사용이 가능할 것으로 판단된다.
KSP 제안 키워드
High electron mobility transistor(HEMT)
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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