BROWSE
Detail
Journal Article
GaN HPA MMIC 기반 Ka 대역 25 W SSPA 설계 및 제작
- Issue Date
- 2015-12
- Citation
- 한국전자파학회논문지, v.26, no.12, pp.1083-1090
- ISSN
- 1226-3133
- Publisher
- 한국전자파학회 (KIEES)
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- Ka 대역의 25 W급 SSPA를 제작하기 위하여 상용 0.15 μm GaN 공정을 이용 구동증폭기(Drive Amplifier : DRA) 및고출력증폭기(High Power Amplifier : HPA) 초고주파 단일 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC)를 설계 및 제작하여 특성 평가하였고, SSPA(Solid State Power Amplifier)의 주요 부속품인 MS-to-WR28 변환기 및 WR28 전력합성기를 설계 및 제작, 평가하여 Ka 대역 GaN 기반 SSPA를 제작하였다. 제작 결과, 주파수 29～31 GHz 대역에서 포화출력 44.2 dBm 이상, 전력부가효율 16.6 % 이상, 전력이득 39.2 dB의 특성을 나타내었다.
- KSP Keywords
- GaN HPA, Microwave Integrated Circuits(MICs), Microwave monolithic integrated circuits(MMIC), Solid State Power Amplifier, high power amplifier, integrated circuit(IC), power amplifiers(PAs)
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
(CC BY NC)
