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학술지 SiO2/Si 및 Si 기판에 RF Magnetron Sputtering 법으로 증착된 적외선 센서용 La0.7Sr0.3MnO3 CMR 박막
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저자
최선규, Sivasankar Reddy, 유병곤, 류호준, 박병호
발행일
200803
출처
한국진공학회지, v.17 no.2, pp.130-137
ISSN
1225-8822
출판사
한국진공학회
DOI
https://dx.doi.org/10.5757/JKVS.2008.17.2.130
협약과제
08MB1900, 유비쿼터스용 CMOS 기반 MEMS 복합센서기술개발, 최창억
초록
La0.7Sr0.3MnO3 박막을 rf 마그네트론 스퍼터를 이용하여 챔버 내 산소가스유량비를 0, 40, 80 sccm 으로 조절하고 후열처리 공정 없이 기판온도를 350℃로 유지하면서 SiO2/Si(100) 및 Si(100) 기판에 증착하였다. 증착된 La0.7Sr0.3MnO3 박막은 SiO2/Si(100), Si(100) 기판 모두 (100), (110), (200)면을 갖는 polycrystalline 상태였으며, oxygen flow rate이 증가함에 따라 박막의 grain size가 증가하였다. 증가되는 grain size로 인하여 grain boundary가 감소하였고 따라서 높은 oxygen flow rate에서 증착된 박막은 면저항이 감소하는 현상을 나타내었다. SiO2/Si 기판과 Si 기판에 증착된 LSMO 박막의 TCR 값은 약 -2.0 ~ -2.2%를 나타내었다.
KSP 제안 키워드
oxygen flow, rf Magnetron sputtering