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학술대회 Current Flow Mechanism in Schottky-Barrier MOSFETs and Application to the 1T-DRAM
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저자
최성진, 한진우, 김성호, 최철종, 장문규, 최양규
발행일
200809
출처
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2008, pp.226-227
협약과제
08MB1800, 유비쿼터스 단말용 부품 모듈, 김종대
KSP 제안 키워드
1T-DRAM, Current flow mechanism, Schottky barrier