상세정보
학술지
소형 IF 발룬이 내장된 MMIC 이중 평형 저항성 혼합기
- 발행일
- 200812
- 출처
- 한국전자파학회논문지, v.19 no.12, pp.1350-1359
- ISSN
- 1226-3133
- 출판사
- 한국전자파학회 (KIEES)
- 초록
- 본 논문에서는 0.5 μm p-HEMT 공정을 이용한 MMIC 이중 평형 저항성 혼합기를 개발하였다. 본 혼합기에는 LO, RF, IF 등의 3개의 발룬이 포함된다. 8～20 GHz 범위에서 동작하는 LO와 RF 발룬은 Marchand 발룬으로 구현하였다. 칩 크기를 줄이기 위해 구부려진 다중 결합 선로를 이용하였고, 이로 인해 발생하는 모드 위상 속도 차이를 보상하기 위해 인덕터 선로를 삽입하였다. IF 발룬은 DC 결합 차동 증폭기로 구현하였다. 0.3×0.5 mm2 크기를 가진 IF 발룬의 측정 결과, DC에서 7 GHz 주파수 범위에서 크기와 위상의 오차가 각각 1 dB와 5° 이내의 결과를 보였다. 개발된 1.7×1.8 mm2 크기의 이중 평형 저항성 혼합기의 측정 결과, 동작 주파수 범위에서 16 dBm LO 입력 전력에 대해 삽입 손실이 5～11 dB이고, 출력 OIP3가 10～15 dBm인 결과를 보였다.
- KSP 제안 키워드
- pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT)