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학술대회 A High Density Nano-Scale N-Channel Trench Gate Power MOSFET using Self-Aligned Technique
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김상기, 박훈수, 김용구, 구진근, 박건식, 이진호
발행일
200909
출처
International Conference on Microwave and Photonics (ICMAP) 2009, pp.1-1
KSP 제안 키워드
High-density, N-channel, nano-scale, power MOSFET, self-Aligned, trench gate