Low ohmic contact resistance and smooth AlGaN/GaN surface morphology were obtained on a 2-inch c-plane sapphire substrate by using stepwise annealing at three different temperatures. Metallization was performed under deposition of a composite metal layer of Ti/Al/Ni/Au with thickness variations of 30 nm/100 nm/30 nm/100 nm (MS1), 15 nm/220 nm/40 nm/50 nm (MS2), 20 nm/120 nm/55 nm/45 nm (MS3), 15 nm/120 nm/40 nm/50 nm (MS5) and 20 nm/200 nm/55 nm/45 nm (MS6) and of Au/Ge/Au/Ge/Pt with thicknesses of 120 nm/60 nm/120 nm/60 nm/85 nm (MS4), respectively. After multi-layer metal stacking, a rapid thermal annealing (RTA) process was applied with a stepwise annealing temperature profile of 400°C for 180 s, 900°C for 30 s and 940°C for 30 s. We obtained a minimum specific contact resistance of ?갷 = 4.3 × 10?닋7 cm2 for MS1, ?갷 = 1.0 × 10?닋4 cm2 for MS2, ?갷 = 3.2 × 10?닋6 cm2 for MS3, ?갷 = 5.4 × 10?닋8 cm2 for MS5 and ?갷 = 1.1 × 10?닋7 cm2 for MS6.
KSP 제안 키워드
20 nm, 40 nm, 5 nm, AlGaN/GaN heterostructure, Annealing temperature, Composite metal, Contact resistance(73.40.Cg), Different temperatures, GaN surface, Ohmic contact resistance, Specific contact resistance
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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