16MB1200, 소프트웨어 정의 네트워크(SDN) 기반 Flexible 광노드 핵심기술 개발,
백용순
초록
Crack-free AlGaN template has been successfully grown over entire 2-in. wafer by using 2-step selective-area growth (SAG). The GaN truncated structure was obtained by vertical growth mode with low growth temperature. AlGaN of second step was grown under lateral growth mode. Low pressure enhanced the relative ratio of lateral to vertical growth rate as well as absolute overall growth rate. High V/III ratio was favorable for lateral growth mode. Crack-free planar AlGaN was obtained under low pressure of 30혻Torr and high V/III ratio of 4400. The AlGaN was crack-free over entire 2-in. wafer and had quite uniform Al-mole fraction. The dislocation density of the AlGaN with 20% Al-composition was as low as ~7.6×108혻/cm2, measured by cathodoluminescence. GaN/AlGaN multi-quantum well (MQW) with cladding and waveguide layers were grown on the crack-free AlGaN template with low dislocation density. It was confirmed that the MQW on the AlGaN template emitted the stimulated emission at 355.5혻nm through optical pumping experiment. The AlGaN obtained by 2-step SAG would provide high crystal quality for highly-efficient optoelectronic devices as well as the ultraviolet laser diode.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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