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Journal Article
0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력증폭기
- Issue Date
- 2016-01
- Citation
- 한국전자파학회논문지, v.27, no.1, pp.76-79
- ISSN
- 1226-3133
- Publisher
- 한국전자파학회 (KIEES)
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 0.25 μm의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12 mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2～9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.
- KSP Keywords
- 9.5 GHZ, AlGaN/GaN HEMTs, GaN-on-SiC HEMT
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
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