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Conference Paper 다열 공간 변조 모서리 종단 기술을 이용한 2.3kV급 4H-SiC 다이오드 특성
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
김상기, 원종일, 박건식, 구진근, 유성욱, 노태문, 박종문
Issue Date
2016-06
Citation
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.260-261
Publisher
대한전자공학회
Language
Korean
Type
Conference Paper
KSP Keywords
4H-SiC