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학술대회 6인치 4H-SiC Wafer기반 SiC Power Diode 소자 제작 및 특성 평가
Cited - time in scopus Download 6 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
원종일, 박건식, 구진근, 박종문, 유성욱, 노태문, 김상기
발행일
201606
출처
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.258-259
협약과제
16ZB1600, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기
KSP 제안 키워드
4H-SiC, Power Diode