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학술대회 ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC
Cited - time in scopus Download 3 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
이상흥, 안호균, 김성일, 이종민, 강동민, 김동영, 김해천, 민병규, 윤형섭, 조규준, 주철원, 장유진, 임종원
발행일
201606
출처
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3
협약과제
16ZB1400, ESSOP CUBE 기술 기반 차세대 레이더 3D 모듈 개발, 이진호
KSP 제안 키워드
GaN HEMT