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상세정보

학술지 Thickness-dependent Schottky Barrier Height of MoS2 Field-effect Transistors
Cited 28 time in scopus
저자
김준영, 이종영, 유영준, 이철호, Xu Cui, James Honed, 이관형
발행일
201705
출처
Nanoscale, v.9 no.18, pp.6151-6157
ISSN
2040-3364
출판사
Royal Society of Chemistry (RSC)
DOI
https://dx.doi.org/10.1039/c7nr01501a
협약과제
17HB1300, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
KSP 제안 키워드
Field-effect transistors(FETs), Schottky barrier height, Schottky barriers(SBs), thickness dependent