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Conference Paper 디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
윤형섭, 민병규, 이종민, 강동민, 김해천, 안호균, 임종원
Issue Date
2017-06
Citation
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
Publisher
한국전기전자재료학회
Language
Korean
Type
Conference Paper
KSP Keywords
AlGaN/GaN HEMTs