ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

논문 검색
구분 SCI
연도 ~ 키워드

상세정보

학술대회 디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성
Cited - time in scopus Download 3 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
윤형섭, 민병규, 이종민, 강동민, 김해천, 안호균, 임종원
발행일
201706
출처
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
협약과제
17ZB1700, 수요자 중심 화합물 반도체 부품산업기반강화, 강동민
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN HEMTs