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Type SCI
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Conference Paper 평면 및 트렌치 구조를 갖는 실리콘 카바이드 JBS 다이오드 특성 연구
Cited - time in scopus Download 6 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
김상기, 원종일, 박건식, 구진근, 유성욱, 노태문, 박종문
Issue Date
2017-06
Citation
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2017, pp.1665-1666
Language
Korean
Type
Conference Paper
Project Code
17ZB1400, Development of SiC based trench type next generation power device, Kim Sang Gi