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학술대회 내부 BVIA가 있는 GaN HEMT 소자 특성 및 모델링
Cited - time in scopus Download 2 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김성일, 임종원, 이기준
발행일
201709
출처
대한전자공학회 RF/아날로그 회로 워크숍 2017, pp.397-398
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
GaN HEMT