On Si and sapphire substrates, 6??45 nm thick films of atomic layer-deposited Al2O3 were grown. The thermal conductivity of ALD films has been determined from a linear relation between film thickness and thermal resistance measured by the 3?? method. ALD films on Si and sapphire showed almost same thermal conductivity in the temperature range of 50??350 K. Residual thermal resistance was also obtained by extrapolation of the linear fit and was modeled as a sum of the thermal boundary resistances at heater?밼ilm and film?뱒ubstrate interfaces. The total thermal resistance addenda for films on sapphire was close to independently measured thermal boundary resistance of heater?뱒apphire interface. From the result, it was deduced that the thermal boundary resistance at ALD Al2O3?뱒apphire interface was much lower than that of heater?밼ilm. By contrast, the films on Si showed significantly larger thermal boundary resistance than films on sapphire. Data of < 30 nm films on Si were excluded because an AC coupling of electrical heating voltage to semiconductive Si complicated the relation between 3?? voltage and temperature.
KSP 제안 키워드
5 nm, AC coupling, Linear relation, Sapphire substrates, Temperature range, Thick films, Total thermal resistance, atomic layer, electrical heating, film thickness, linear fit
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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