상세정보
학술지
Effect of Post-Annealing on Low-Temperature Solution-Processed High-Performance Indium Oxide Thin Film Transistors
- 발행일
- 201804
- 출처
- Science of Advanced Materials, v.10 no.4, pp.518-521
- ISSN
- 1947-2935
- 출판사
- American Scientific Publishers
- 협약과제
- 15PC2500, 150ºC이하 인쇄기반 플렉세블 디스플에이 백플레인용 산화물 반도체, 절연체 잉크소재 및 공정 기술 개발, 도이미
- KSP 제안 키워드
- High performance, Low temperature(LT), Oxide thin films, Post-annealing, Solution-processed, Thin-Film Transistor(TFT), indium oxide, thin film(TF)