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학술대회 Design and Fabrication of 4H-SiC Lateral IGBT with Drift Segmentation using Trench Process
Cited - time in scopus Download 11 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
원종일, 박건식, 조두형, 박종문, 김상기
발행일
201802
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.826-826
협약과제
17ZB1400, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기
KSP 제안 키워드
4H-SiC, Design and fabrication, Lateral IGBT