학술지
DC and RF Characteristics of Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Shallow Recess Combined with Fluorine-Treatment and Deep Recess
Enhancement-mode (E-mode) Al 2 O 3 /AlGaN/GaN MISHEMTs were fabricated by shallow recess combined with CF 4 plasma treatment (SR/F) and deep recess (DR) to compare the effect of each process technique on the device performance. To prevent the device performance degradation induced by plasma damage during gate recess, the digital etch technique was employed. The fabricated E-mode devices have positively shifted threshold voltage, and exhibit lower transconductance (g m ) and saturation drain current than depletion-mode devices. Due to the CF 4 plasma damage during F-treatment, SR/F shows a sharp drop of g m curve and low saturation drain current. In contrast, DR presents broad g m and high saturation drain current. It is also revealed that the digital etch for gate recess exhibits an isotropic etch profile, consequently increasing the on-resistance. There is no remarkable difference between SR/F and DR in f T and f max , but DR has a better linearity over SR/F owing to the absence of plasma damage during F-treatment. This results reveal that the DR using digital etch is promising technique to obtain the high performance E-mode MISHEMTs compared to the F-treatment.
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN MIS-HEMT, CF 4, Digital etch, E-mode, F T, F max, Gate recess, High performance, O 3, ON-resistance, Process technique
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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