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학술대회 Mechanical Stress Effects on Device Properties in GaN-based HEMTs
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저자
장성재, 정현욱, 신민정, 도재원, 조규준, 윤형섭, 민병규, 김해천, 임종원
발행일
201802
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.648-648
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
Device properties, GaN-Based, mechanical stress, stress effects