ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

논문 검색
구분 SCI
연도 ~ 키워드

상세정보

학술대회 Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications
Cited - time in scopus Download 1 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
이종민, 김해천, 장유진, 안호균, 도재원, 이상흥, 강동민, 임종원
발행일
201802
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667
협약과제
17DB1800, GaN RF 전력증폭 소자 설계 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
GaN HEMT, Power characteristics, S-Band