상세정보
학술지
Generation and Detection of Terahertz Waves Using Low- Temperature-Grown GaAs with an Annealing Process
- 발행일
- 201402
- 출처
- ETRI Journal, v.36 no.1, pp.159-162
- ISSN
- 1225-6463
- 출판사
- 한국전자통신연구원 (ETRI)
- 협약과제
- 12SF1400, 포토닉스 집적회로 기반 테라헤르츠 무선 인터커넥션 기술 개발, 박경현
- 초록
- In this letter, we present low-temperature grown GaAs (LTGGaAs)-based photoconductive antennas for the generation anddetection of terahertz (THz) waves. The growth of LTG-GaAsand the annealing temperatures are systematically discussedbased on the material characteristics and the properties of THzemission and detection. The optimum annealing temperaturedepends on the growth temperature, which turns out to be540¡ÆC to 580¡ÆC for the initial excess arsenic density of2¡¿1019/cm3 to 8¡¿1019/cm3.
- KSP 제안 키워드
- Annealing temperature, Low temperature(LT), Material characteristics, annealing process, growth temperature, low-temperature grown GaAs, terahertz waves
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