ETRI-Knowledge Sharing Plaform

KOREAN
논문 검색
Type SCI
Year ~ Keyword

Detail

Conference Paper 2단계 게이트 리세스 방법으로 제작한 100nm mHEMT소자의 DC/RF 특성
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
윤형섭, 민병규, 장성재, 정현욱, 이종민, 김성일, 장우진, 강동민, 임종원
Issue Date
2018-11
Citation
한국전자파학회 학술 대회 (추계) 2018, pp.106-106
Publisher
한국전자파학회
Language
Korean
Type
Conference Paper