18PB4300, 양면발전 효율 8.5 % 및 투과도 20%를 갖고 다양한 색상 구현이 가능한 박막 실리콘 기반의 완전투광형 투명 태양전지 기술 개발,
임정욱
초록
A low temperature deposition process was developed to fabricate ultra-thin, transparent, multi-layered electrodes (TMEs) suitable to be used on variously shaped flexible substrates, as those utilized in the transparent solar cells of building-integrated photovoltaic (BIPV) systems. The fabricated TMEs consisted of a bottom layer (BL) of gallium doped zinc oxide (GZO), an Ag-layer, and optoelectronic-controlling layers (OCLs) of GZO; and exhibited a high transmittance of 90% at 550 nm, and a low sheet resistance of 9.4 廓/sq. at the thickness of ~ 100 nm. Because the Ag of TMEs easily detach from inorganic or amorphous surfaces, the GZO-BL was chemically treated in a diluted acetic and nitric acid mixture (10:2) to generate changes in its surface energy and improve the Ag adhesion. To quantitatively evaluate the Ag adhesion of TMEs, we proposed and conducted a tape pull-out adhesion test, and found the optimum GZO-BL texturing condition. The developed TMEs were used as the front transparent conductive electrodes of transparent a-Si:H solar cells to tune their reflection colors. By changing the thickness of the OCL, a wide range of colors was obtained without serious efficiency variations, as was predicted by optical simulations. The fabricated transparent cells show a high efficiency of 4.8%, as well as a high average transmittance of ~ 20% in the visible range. The developed TME structure, using the proposed deposition process, can be fabricated on various substrates and can be applied to devices that require a variety of colors such as BIPVs, wearable PVs, and the PVs of moving vehicles.
KSP 제안 키워드
Acid mixture, Adhesion test, Ag adhesion, Amorphous surfaces, Building-integrated photovoltaics, Flexible substrate, Gallium doped zinc oxide(GZO), High transmittance, Low temperature(LT), Low temperature deposition, Moving Vehicle
저작권정책 안내문
한국전자동신연구원 지식공유플랫폼 저작권정책
한국전자통신연구원 지식공유플랫폼에서 제공하는 모든 저작물(각종 연구과제, 성과물 등)은 저작권법에 의하여 보호받는 저작물로 무단복제 및 배포를 원칙적으로 금하고 있습니다. 저작물을 이용 또는 변경하고자 할 때는 다음 사항을 참고하시기 바랍니다.
저작권법 제24조의2에 따라 한국전자통신연구원에서 저작재산권의 전부를 보유한 저작물의 경우에는 별도의 이용허락 없이 자유이용이 가능합니다. 단, 자유이용이 가능한 자료는 "공공저작물 자유이용허락 표시 기준(공공누리, KOGL) 제4유형"을 부착하여 개방하고 있으므로 공공누리 표시가 부착된 저작물인지를 확인한 이후에 자유이용하시기 바랍니다. 자유이용의 경우에는 반드시 저작물의 출처를 구체적으로 표시하여야 하고 비영리 목적으로만 이용이 가능하며 저작물을 변형하거나 2차 저작물로 사용할 수 없습니다.
<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
공공누리가 부착되지 않은 자료들을 사용하고자 할 경우에는 담당자와 사전협의한 이후에 이용하여 주시기 바랍니다.