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학술대회 Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications
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저자
민병규, 조규준, 이종민, 김성일, 윤형섭, 김해천, 안호균, 정현욱, 장성재, 도재원, 신민정, 임종원
발행일
201802
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663
협약과제
17HB2400, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
GaN HEMT, SiC device, Via-hole, active region