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학술대회
Top Gate MoSe2 FET with Low Damage Deposition of Al2O3 Gate Dielectric
Cited - time in 
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- 발행일
- 201811
- 출처
- International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE) 2018, pp.1-1
- 협약과제
- 18HB1100, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
- KSP 제안 키워드
- Low damage, gate dielectric, top-gate