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학술대회 New p-Type Oxide Semiconductor with High Hole Mobility over 7 cm2/Vs Formed By Solution Process
Cited - time in scopus Download 1 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
조성행, 남수지, 황치선, 이수재
발행일
201810
출처
The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2018, pp.1-1
협약과제
18ZB1200, 임플란터블 능동 전자소자 원천기술 개발, 이정익
KSP 제안 키워드
Hole mobility, p-Type oxide semiconductor, solution process