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학술대회
Effects of Recess Depth on the Vth-shift for Fabricating Normally-off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures
Cited - time in 
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- 발행일
- 201902
- 출처
- 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2019, pp.618-619
- 협약과제
- 18PB3700, 전기자동차의 전력변환 효율 향상을 위한 400V 수직형 GaN-on-GaN 에피/전력소자 기술 개발 , 이형석
- KSP 제안 키워드
- AlGaN/GaN heterostructure, Field effect transistors(Substrate temperature), Normally-Off, recess depth