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Journal Article
밀리미터파 대역 단일 집적 증폭기
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- Authors
- 지홍구, 오승엽
- Issue Date
- 2010-10
- Citation
- 한국산학기술학회논문지, v.11, no.10, pp.3917-3922
- ISSN
- 1975-4701
- Publisher
- 한국산학기술학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문은 U-band(40∼60GHz)대역에 최적화된 epitaxial로 pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)을 제작, 대신호 모델링하여 특성분석 및 60GHz 대역의 3단 증폭기를 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)로 설계 제작하였다. 본 논문에 사용된 pHEMT는 0.12㎛의 게이트 길이와 총 게이트 면적 100㎛, 200㎛를 사용하여 대신호 모델링하였으며 설계시 안정도의 향상을 위하여 부궤환회로와 함께 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터 대신 MCLF(Microstriop Coupled Line Filter)를 사용하여 안정도를 향상시켰다. 제작결과 크기가 이고 소모된 전류는 약 40mA, 동작주파수 59.5∼60.5GHz에서 이득 19.9dB ∼ 18.6dB, 입력정합특성 -14.6dB∼-14.7dB, 출력정합 특성 -11.9dB∼-16.3dB와 출력 -5dBm의 특성을 얻었다.
- KSP Keywords
- Coupled line, High-electron mobility transistor(HEMT), Metal-insulator-metal, Microwave Integrated Circuits(MICs), Microwave monolithic integrated circuits(MMIC), U-Band, integrated circuit(IC), pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT)