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학술지 밀리미터파 대역 단일 집적 증폭기
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저자
지홍구, 오승엽
발행일
201010
출처
한국산학기술학회논문지, v.11 no.10, pp.3917-3922
ISSN
1975-4701
출판사
한국산학기술학회
DOI
https://dx.doi.org/10.5762/KAIS.2010.11.10.3917
협약과제
10MR5100, Ka대역 서비스 지역별 위성출력 제어기술 개발, 염인복
초록
본 논문은 U-band(40∼60GHz)대역에 최적화된 epitaxial로 pHEMT(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)을 제작, 대신호 모델링하여 특성분석 및 60GHz 대역의 3단 증폭기를 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)로 설계 제작하였다. 본 논문에 사용된 pHEMT는 0.12㎛의 게이트 길이와 총 게이트 면적 100㎛, 200㎛를 사용하여 대신호 모델링하였으며 설계시 안정도의 향상을 위하여 부궤환회로와 함께 MIM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터 대신 MCLF(Microstriop Coupled Line Filter)를 사용하여 안정도를 향상시켰다. 제작결과 크기가 이고 소모된 전류는 약 40mA, 동작주파수 59.5∼60.5GHz에서 이득 19.9dB ∼ 18.6dB, 입력정합특성 -14.6dB∼-14.7dB, 출력정합 특성 -11.9dB∼-16.3dB와 출력 -5dBm의 특성을 얻었다.
KSP 제안 키워드
Coupled line, High electron mobility transistor(HEMT), Metal-insulator-metal, Microwave monolithic integrated circuits(MMIC), U-Band, microwave integrated circuit, pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT)