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학술지 DC Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistor with a Bottom Plate Connected to Source-Bridged Field Plate Structure
Cited - time in scopus Download 5 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
곽현탁, 장규원, 김현정, 이상흥, 임종원, 김현석
발행일
201904
출처
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.19 no.4, pp.2319-2322
ISSN
1533-4880
출판사
American Scientific Publishers (ASP)
DOI
https://dx.doi.org/10.1166/jnn.2019.16004
협약과제
18DB2600, GaN RF 전력증폭 소자 설계 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
Bottom plate, DC Characteristics, Field Plate, High electron mobility transistor(HEMT), Plate structure