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학술대회 상온 이온 주입 공정을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode의 제조 및 특성 분석
Cited - time in scopus Download 9 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
조두형, 원종일, 박종문, 박건식
발행일
201903
출처
SiC 반도체 컨퍼런스 2019, pp.57-57
협약과제
16ZB1600, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기
KSP 제안 키워드
4H-SiC, Schottky barrier