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Conference Paper 상온 이온 주입 공정을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode의 제조 및 특성 분석
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
조두형, 원종일, 박종문, 박건식
Issue Date
2019-03
Citation
SiC 반도체 컨퍼런스 2019, pp.57-57
Publisher
한국전기전자재료학회
Language
Korean
Type
Conference Paper
KSP Keywords
4H-SiC, Schottky barrier