We investigated the hydrazine effect on the physical characteristics of zinc sulfide (ZnS) thin films on both the soda-lime glass substrate and the Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) absorber layer as a function of its relative content rc with respect to ammonia as well as the deposition time td in the chemical bath deposition. As the rc varied from 0 to 1.39, all the deposited ZnS films using hydrazine as a secondary complexing agent showed nearly identical characteristics of amorphous structure with the composition of [S/(S + O)] ~ 0.32 and the direct energy bandgap of Eg = 3.54??3.75 eV. However, they exhibited a strong dependence of light transmission on the longer deposition times td (?돟70 min), due to the enhancement of the areal density of in-plane grains. By applying the ZnS buffer on top of the CIGS, the heterojunction device showed the best solar cell performance with η = 12.03%, Voc = 0.549 V, Jsc = 32.92 mA/cm2, FF = 66.7% from the ZnS buffer grown at rc = 0.28 and td = 30 min. When compared to only ammonia, the relative hydrazine was found to play a key role in the deposition of ZnS to expedite the in-plane grain growth by 6 times accompanied both with a reduction of in-plane grain size and a denser packing density.
KSP 제안 키워드
Areal density, Chemical bath deposition(CBD), Complexing agent, Deposition time, Energy band gap, Glass substrate, Grain size, Heterojunction device, In-plane, Key role, Light transmission
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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