18PB5100, 대면적 그래핀 기판을 이용한 저비용, 고품위의 III-V 나노와이어 발광소자 개발,
박종혁
초록
We report improved conductance by reducing the work function via incorporation of hydrogen into VO 2 nanowires. The VO 2 nanowires were prepared using the chemical vapor deposition method with V 2 O 5 powder on silicon substrates at 850 °C. Hydrogenation was carried out using the high-pressure hydrogenation method. Raman spectroscopy confirmed that the incorporated hydrogen atoms resulted in a change in the lattice constant of the VO 2 nanowires (NWs). To quantitatively measure the work function of the nanowires, Kelvin probe force microscopy (KPFM) was employed at ambient conditions. We found that the work function decreased with increasing H 2 pressure, which also resulted in increased conductance. This is associated with hydrogen diffused into the VO 2 that acts as a donor to elevate the Fermi level, which was also confirmed by KPFM. From these results, tuning of the reversible electrical properties of VO 2 NWs, including the conductance and work function, can be achieved by incorporating hydrogen at relatively moderate temperatures.
KSP 제안 키워드
Chemical vapor deposition method, Fermi level, H 2, Hydrogen atoms, Hydrogen incorporation, Kelvin Probe force microscopy, Lattice constants, Raman spectroscopy, Silicon substrate, VO 2, Work Function
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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