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학술대회 AlGaN/GaN 이종 접합 구조의 게이트 영역 미세 조절 리세스를 이용한 상시 불통형 전계 효과 트랜지스터
Cited - time in scopus Download 5 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김진식, 이형석, 배성범, 안호균, 이상흥, 임종원, 강동민
발행일
201911
출처
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2019, pp.215-218
협약과제
19DB2400, 초고주파 전력증폭기용 GaN-on-SiC 에피소재 기술개발, 배성범