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학술대회 Si-도핑된 베타-산화갈륨 에피 채널층 기반 Circular-MOSFETs 제작 및 특성
Cited - time in scopus Download 3 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
조규준, 정현욱, 장우진, 문재경
발행일
201906
출처
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2019, pp.1-1
협약과제
19PB3300, 저결함(1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발, 문재경