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학술대회 First Demonstration of 2500 V-class β-Ga2O3 MOSFETs
Cited - time in scopus Download 3 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
문재경, 조규준, 장우진, 정현욱
발행일
201911
출처
International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2019, pp.1-1
협약과제
19PB3300, 저결함(1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발, 문재경