19ZB1800, 초박막 구조 기반 고성능 멤리스터 소자를 이용한 뉴로모픽 하드웨어 개발,
문승언
초록
Metal-ferroelectric-metal capacitors were fabricated to evaluate the ferroelectricity and switching dynamics of the undoped-HfO2 thin films prepared by atomic layer deposition. The film thickness was controlled to be 9 to 16 nm as an important control parameter. The value of remnant polarization (Pr) decreased with increasing the film thickness owing to the modulations in amounts of ferroelectric orthorhombic phase. The 11-nm-thick HfO2 thin film, which was strategically suggested as a critical film thickness, showed the Pr value of 8.47 μC/cm2. Based on the accurately calculated Pr by double-pulse switching measurement and Kolmogorov-Avrami-Ishibashi (KAI) model, the ferroelectric polarization switching time (ts) and the activation electric field (Ea) for polarization reversal were estimated with the variations in film thickness of the HfO2 thin films. The ts and Ea showed decreasing and increasing trends with increasing the film thickness, respectively. The values of Pr for the MFM capacitor were also found to be gradually modulated by controlling the ferroelectric partial polarization with pulse-width and pulse-number modulations, which corresponded to the emulations of assigning the synaptic weights for the synapse device applications.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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