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학술대회
Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs
Cited - time in 
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- 발행일
- 201907
- 출처
- Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
- 협약과제
- 19ZB1600, 질화붕소 분리층과 소자 전사 기술을 이용한 다목적 초고주파 소자 개발, 장성재
- KSP 제안 키워드
- GaN-Based, Radiation hardness, bi-layer, proton radiation