ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

논문 검색
구분 SCI
연도 ~ 키워드

상세정보

학술대회 Improvement of Proton Radiation Hardness through Bi-layer Gate Insulating System in GaN-based MIS-HEMTs
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
장성재, 조규준, 정현욱, 김정진, 장유진, 배성범, 김동석, 배영호, 윤형섭, 안호균, 민병규, 김해천, 임종원
발행일
201907
출처
Internatinoal Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2019, pp.119-119
협약과제
19ZB1600, 질화붕소 분리층과 소자 전사 기술을 이용한 다목적 초고주파 소자 개발, 장성재
KSP 제안 키워드
GaN-Based, Radiation hardness, bi-layer, proton radiation