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학술대회
Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs
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- 발행일
- 202002
- 출처
- 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790
- 협약과제
- 20FU1100, 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발, 안호균
- KSP 제안 키워드
- AlGaN/GaN HEMTs, Nanometer-scale, Ohmic contact, Performance and Reliability, improved performance