The development of MoS2 with two- or three-dimensional heterostructures can provide a significant breakthrough for the enhancement of photodetection abilities such as increase in light absorption and expanding the detection ranges. Till date, although the synthesis of a MoS2 layer with three-dimensional nanostructures using a chemical vapor deposition (CVD) process has been successfully demonstrated, most studies have concentrated on electrochemical applications that utilize structural strengths, for example, a large specific surface area and electrochemically active sites. Here, for the first time, we report spectral light absorption induced by plasmon resonances in single-layer MoS2 (SL-MoS2) with vertically aligned nanoflakes grown by a CVD process. Treatment with oxygen plasma results in the formation of a substoichiometric phase of MoOx in the vertical nanoflakes, which exhibit a high electron density of 4.5 × 1013 cm-2. The substoichiometric MoOx with a high electron-doping level that is locally present on the SL-MoS2 surface induces an absorption band in the near-infrared (NIR) wavelength range of 1000-1750 nm because of the plasmon resonances. Finally, we demonstrate the enhancement of photodetection ability by broadening the detection range from the visible region to the NIR region in oxygen-treated SL-MoS2 with vertically aligned nanoflakes.
KSP 제안 키워드
Absorption band, Active sites, CVD process, Chemical Vapor Deposition, Electrochemical applications, Electron-doping, High electron, Light absorption, Near-Infrared(NIR), Spectral light, Surface Plasmon resonance
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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