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학술대회 저유전막을 이용해 형성된 AlGaN/GaN HEMT소자 게이트가 주파수 특성에 미치는 영향
Cited - time in scopus Download 5 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
정현욱, 강수철, 장성재, 안호균, 임종원
발행일
202008
출처
한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.893-893
협약과제
20FU1200, 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발(19DB2300 이월), 안호균