18HB1400, 초고속 통신 및 영상 신호처리를 위한 광/THz 원천기술 연구개발,
송민협
초록
A 40혻nm complementary metal oxide semiconductor carrier-aggregated drive amplifier with high linearity is presented for sub-GHz Internet of Things applications. The proposed drive amplifier consists of two high linear amplifiers, which are composed of five differential cascode cells. Carrier aggregation can be achieved by switching on both the driver amplifiers simultaneously and combining the two independent signals in the current mode. The common gate bias of the cascode cells is selected to maximize the output 1혻dB compression point (P1dB) to support high-linear wideband applications, and is used for the local supply voltage of digital circuitry for gain control. The proposed circuit achieved an output P1dB of 10.7혻dBm with over 22.8혻dBm of output 3rd-order intercept point up to 0.9혻GHz and demonstrated a 55혻dBc adjacent channel leakage ratio (ACLR) for the 802.11af with ?닋5혻dBm channel power. To the best of our knowledge, this is the first demonstration of the wideband carrier-aggregated drive amplifier that achieves the highest ACLR performance.
KSP 제안 키워드
Adjacent channel leakage ratio(ACLR), Carrier aggregation, Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS), Current-mode(CM), Gain Control, Intercept point(IIP3), Internet of Things applications, Internet of thing(IoT), Linear amplifier, Metal-oxide(MOX), Sub-GHz
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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