19DB1100, 거리해상도 개선을 위해 PLL을 적용한 1000 MHz 이상의 대역폭을 가지는 근접센서용 94 GHz 대역 SiGe 기반 Packaged Transceiver 칩 개발,
이상흥
초록
In this study, an E-band low-noise amplifier (LNA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) has been designed using silicon-germanium 130-nm bipolar complementary metal-oxide-semiconductor technology to suppress unwanted signal gain outside operating frequencies and improve the signal gain and noise figures at operating frequencies. The proposed impedance-controllable filter has series (Rs) and parallel (Rp) resistors instead of a conventional inductor-capacitor (L-C) filter without any resistor in an interstage matching circuit. Using the impedance-controllable filter instead of the conventional L-C filter, the unwanted high signal gains of the designed E-band LNA at frequencies of 54혻GHz to 57혻GHz are suppressed by 8혻dB to 12혻dB from 24혻dB to 26혻dB to 12혻dB to 18혻dB. The small-signal gain S21 at the operating frequencies of 70혻GHz to 95혻GHz are only decreased by 1.4혻dB to 2.4혻dB from 21.6혻dB to 25.4혻dB to 19.2혻dB to 24.0혻dB. The fabricated E-band LNA MMIC with the proposed filter has a measured S21 of 16혻dB to 21혻dB, input matching (S11) of ??14혻dB to ??5혻dB, and output matching (S22) of ??19혻dB to ??4혻dB at E-band operating frequencies of 70혻GHz to 95혻GHz.
KSP 제안 키워드
BiCMOS Technology, Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS), E-band, High signal, Input matching, Metal-oxide(MOX), Microwave monolithic integrated circuits(MMIC), Semiconductor technology, Silicon-germanium(SiGe), Small signal gain, low noise amplifier(LNA)
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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