We propose a low-temperature co-fired ceramic (LTCC)-based leadless surface mount package to improve switching and heat-dissipation properties of a power semiconductor. A silicon carbide (SiC) Schottky barrier diode (SBD) bare die is embedded to a cavity in the LTCC-based multi-layer substrate. Instead of conventional aluminum wires, a flat copper clip is used to reduce parasitic inductance and electrical resistance caused by bond wires. Multiple vias filled with silver are embedded in the multi-layer substrate to decrease the electrical resistance and to improve heat-dissipation of the package. The measured reverse recovery charge (Qrr) was 18.02 nC at a reverse voltage of 300 V and $di/dt$ of $300\ \mathrm{A}/\mu\mathrm{s}$. It exhibits 18.7% improvement in the Qrr as compared to the conventional TO-220 packaged product using the same bare die. The power loss and heat-dissipation performances of the proposed package was evaluated through a power factor correction (PFC) converter. In comparison with commercial products, we can see that the proposed package has low-loss and high heat-dissipation properties.
KSP 제안 키워드
Commercial products, Electrical Resistance, Low Temperature Cofired Ceramic(LTCC), Low temperature(LT), Multi-layer substrate, Parasitic inductance, Performance analysis, Power factor(P.F), Power factor correction (PFC) converter, Power semiconductor, Reverse voltage
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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