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학술대회 GaN HEMT 대면적 소자 모델링을 위한 DC 바이어스 조건에 따른 게이트 채널 위치별 발생 온도 특성 분석
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
장우진, 강동민, 이상훈
발행일
202107
출처
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.315-319
협약과제
21HB3200, 5G 통신을 위한 3.7GHz 300W급 고출력 GaN 파워트랜지스터 기술 및 전력증폭기 개발, 장우진
KSP 제안 키워드
GaN HEMT