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학술대회 InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성
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저자
정현욱, 최일규, 장성재, 김해천, 안호균, 임종원
발행일
202107
출처
대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.223-225
협약과제
21FU1100, 초고주파 대역용 3D TIV 집적화 공정 및 적층형 InP/GaN 소자 기술 개발, 안호균
KSP 제안 키워드
GaN HEMT