For practical applications of photosynaptic devices in neuromorphic systems, photosynaptic transistors prepared using TiO2 channels and TiO2/Al2O3 deep trap interfaces exhibit high stability and retention. However, there is scope for improving photosynaptic properties such as large numbers of analog states with good linearity and high sensitivity. Herein, HfO2 thin films of high-觀 gate dielectric layers grown by plasma-enhanced atomic layer deposition with the Hf precursor methyl-3-cyclopentadiene propylamine bis(dimethylamino) hafnium are employed. 30-nm-thick HfO2 films deposited at 200 °C exhibit a 觀 of 13.4 and an E-field of up to 5 MV cm?닋1. They are grown on a Si substrate and appropriately used in the form of double-insulator stacks, in addition to Al2O3, in TiO2-based photosynaptic transistors. The synaptic transistors successfully demonstrate better performance in terms of various parameters relevant to synaptic plasticity. For long-term plasticity, 256 analog states are observed, which is more than that reported previously, with superior linearity. Moreover, lights of various wavelengths, including visible and UV, are illuminated on the devices, resulting in various lifetimes (wavelength-dependent) of the trapped carriers. These properties are commercially attractive and suggest the feasibility of employing these devices in applications such as visual information detection and computing in future intelligent networks.
KSP 제안 키워드
3-cyclopentadiene, Deep traps, Gate insulator, High Sensitivity, Information detection, Large numbers, Long-term plasticity, Methyl-, Plasma-enhanced atomic layer deposition, Si substrate, Synaptic Plasticity
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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