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학술대회 Recent Progress of GaN-based Semiconductor Device Technologies in ETR
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저자
이형석, 배성범
발행일
202110
출처
Europe-Korea Conference on Science and Technology (EKC) 2021, pp.1-1
협약과제
21FB1100, 초고주파 전력증폭기용 GaN-on-SiC 에피소재 기술개발, 배성범
KSP 제안 키워드
GaN-Based, Recent progress, semiconductor device